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目前iPad 2有WiFi、WiFi GSM和WiFi CDMA、32nm LP四个版本的45nm LP A5处理器。数字分别是iPad 2，1到2，4。

32nm和45nm是指芯片上晶体管之间连线的宽度，简称线宽。半导体行业习惯用线宽作为工艺尺寸来代表硅片生产工艺的水平。线宽越小，晶体管越小，使晶体管工作所需的电压和电流越低，晶体管的开关速度越快，使新工艺的晶体管可以工作在更高的频率，从而导致芯片性能的提高。

提高CPU的性能，一方面要提高它的主频，一方面要改变它的架构，一方面要提高它的制造工艺。制造工艺的提升，理论上可以降低功耗，让CPU的默认时钟频率更高，直接提升性能。

与现有的45纳米工艺相比，32纳米工艺在以下几个方面有显著变化：

3nm工艺使用第二代高k金属栅极，0.9nm等效氧化物厚度高k (45nm技术为1nm)，金属栅极的更新工艺流程，30nm栅极长度，第四代应变硅，有史以来最紧密的栅极间距(第一代32nm技术将使栅极间距达到112.5nm)，有史以来最高的驱动电流，晶体管性能提高22%，封装尺寸同比增长。

32纳米工艺有效降低了成本。

包括三星在内的半导体制造商目前使用300纳米硅片制造芯片。每片硅片可以切割579个45nm boss A5处理器。如果改成32nm工艺，在合格率100%的前提下，同样的硅片可以切割1015片，相当于节约了很多成本。

三星的芯片采用了HKMG(高K绝缘金属栅)技术和低功耗技术，并采用了栅极优先的堆叠方式。金属栅极在漏极/源极离子注入操作和硅晶片的后续退火步骤完成之前生成。

上图左侧是原A5芯片45nm工艺的模具，新A5芯片32nm边缘。原A5芯片表面积约为122平方毫米；新的32nm芯片只有69mm2。面积减少了将近一半。

电池寿命显著增加。

网页浏览测试

Anandtech的测试环境是打开WiFi，将屏幕调整到200尼特(流明，亮度单位)的亮度。时间单位是小时。

从数据上来看，iPad 2和4的11.7小时续航时间比iPad 2延长了1个半小时左右，增幅约为15.8%。可以看出，32nm工艺处理器的低漏电率和较少的空闲时间，在不更换电池的情况下，有效提高了电池的续航能力。

3D图形测试

与Cortex A9双核芯片相比，A5芯片中的PowerVR SGX 543MP2图形处理器从32nm技术中获得了更多好处。

视频回放测试

最后进行视频回放测试，使用的是平均码率为4Mbps的720p 《哈利波特》。

测试结果显示，iPad 2和IP ad4的播放时间达到15.7小时，比iPad 2长18%左右。这些数据都是在200尼特的亮度下测试的，亮度很低。如果增加亮度，iPad 2和4的优势会更明显。

功耗和发热明显降低。

在Sunspider的Java多线程脚本测试中，iPad2、iPad 2、iPad 4相比消耗了3.4W，降低了28%。

功率消耗

顺便看看新iPad的耗电量。它就像一个怪物。它的数据是iPad 2和4的两倍多。如果未来新iPad能使用32nm A5X芯片，其功耗和发热会有明显改善。

摘要

从这一系列测试可以看出，三星32nm HKMG LP工艺的芯片性能相当出色。苹果悄悄将这批新iPad 2投放市场，这样的举动也说明苹果在未来的设备中采用32nm芯片是顺理成章的。

续航是用户最关心的参数之一。如果苹果在未来设备上的芯片采用32nm技术，比如即将推出的iPhone 5的A5X芯片，其面积可以从160mm2缩小到93mm2。这可以在不增加电池体积的情况下延长电池寿命。在工业设计中，会有更多的空间让设备变得更轻、更薄、更快。

本文讲解到此结束，希望对大家有所帮助。